В чем разница между памятью ddr3l и ddr3

Описание

В свое время появление оперативной памяти типа DDR2 вызвало настоящий фурор среди любителей компьютеров. По сравнению с DDR новый вид ОЗУ работал намного быстрее. Как и у первого поколения DDR, DDR2 передает данные по обоим срезам. Вся разница лишь в том, что DDR2 имеет намного более быструю шину, передача данных на которую может совершаться одновременно из четырех мест. Таким образом, скорость DDR2 как минимум в два раза превосходила скорость оперативной памяти предыдущего поколения. Также DDR2 отличается скромным энергопотреблением и очень быстрым охлаждением. Однако все эти показатели казались невероятными только до появления на рынке следующего поколения оперативной памяти.

Казалось, что ничего значительно более современного и эффективного, чем DDR2, не придумают очень долго. Но вскоре было представлено новое поколение оперативной памяти – DDR3. Благодаря снижению напряжения питания ячеек, создателям нового типа ОЗУ удалось снизить ее энергопотребление аж на 15 процентов, что, учитывая впечатляющие показатели DDR2, можно было назвать настоящим прорывом. Более того, существуют модификации DDR3, помеченные буквой L, которые отличаются еще большим энергосбережением. Пропуская способность у DDR3 значительно превосходит аналогичный показатель предыдущих моделей памяти и составляет до 21300 МБ/с. Впрочем, уже сегодня готовы первые образцы памяти DDR4, которая также значительно превзойдет предыдущее поколение по всем важным характеристикам.

DDR3 или DDR4, что лучше?

Вопрос с подвохом. Вроде бы уже все выяснили, что DDR4 новее, быстрее и экономичнее, а тут такой вопрос. И все же давайте выясним, что лучше?

А подвох тут вот в чем! Если взять, например, DDR3 2400Мгц и DDR4 2400Мгц, то в этой схватке одержит победу….. одержит победу… отгадайте кто?… DDR3! Почему так происходит? В ОЗУ существует такая характеристика как тайминг задержки. Выглядит она примерно так 9-9-9-24 или 9-10-10-24. В общем, чем этот показатель ниже, тем выше скорость оперативной памяти.

И случилось так, что в силу своей архитектуры DDR4 имеет тайминги выше, чем у DDR3. Именно поэтому при одинаковых частотах в тестах DDR4 немножко проигрывает памяти DDR3. Но стоит только взять память DDR4 с частотой 3200 или 4000 Мгц, как вы заметите огромную разницу в пользу DDR4!

Вот теперь и думайте, что лучше DDR3 или DDR4? Все зависит от многих факторов. Например, какую частоту оперативной памяти поддерживает ваша материнская плата, есть ли в ней потенциал для дальнейшего апгрейда системы.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока. То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля. И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

  • Уменьшить их емкость.
  • Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

  • DDR — 2, 5 В.
  • DDR2 — 1, 8 В.
  • DDR3 — 1, 5 В.
  • DDR4 — 1, 2 В.

Основные отличия между DDR3 и DDR4

Рассмотрим основные различия:

  • DDR3 поддерживает плотность памяти только до 8 ГБ, а DDR4 до 16 ГБ.
  • Частоты DDR4 намного выше, чем у модулей DDR3. Это делает модули DDR4 быстрее благодаря повышению скорости передачи.
  • Наименьший порог напряжения у версии DDR3 1.35 В, а у DDR4 — 1.05.
  • Модули DDR3 имеют 240 контактов, а DDR4 — 288.
  • Насечки на модулях находятся в разных местах.
  • Память DDR3 поддерживает только 8 внутренних банков памяти, а DDR4 — 16 банков.

Несмотря на преимущества нового типа памяти, разница в производительности системы с DDR3-2133 Мгц и DDR4-2133 Мгц в ряде приложений и игр составляет всего пару процентов, в то время как цена на новую платформу обойдется намного дороже.

DDR3 vs DDR4. Кто круче?

Добрый день, уважаемые читатели. У многих возникает вопрос, какую оперативную память выбрать DDR3 или DDR4? В чем отличие между ними и что лучше подходит для игр? Сегодня мы разберемся во всех этих вопросах и затронем сопутствующие вопросы по этой теме. Мы, конечно, уже разбирались в вопросе, как выбрать ОЗУ для компьютера, но сегодня подробнее остановимся именно на этих двух типах памяти. Почему? Потому что не все могут с легкостью определиться в выборе. Мы поможем!

Как известно, технология DDR4 появилась на рынке вместе с процессорами 6-го поколения от Интел под кодовым названием SkyLake (небесное озеро). Соответственно использовать DDR4 желательно только с новыми процессорами 6-го и 7-го поколения (и выше).

А вот с какого поколения процессоры начнут поддерживать ОЗУ DDR5 пока не известно.

Дополнительные характеристики

Пропускная способность, Гб/с

Пропускная способность, Гб/с

Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.

X

Отдо

Поддержка ECC

Поддержка ECC

EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.

X

естьнетне важно

Буферизованная (Регистровая) память

Буферизованная (Регистровая) память

Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.

X

естьнетне важно

Низкопрофильная

Низкопрофильная

Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.

X

естьнетне важно

Количество контактов

Количество контактов

Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.

X

Отдо

Число чипов на один модуль памяти

Число чипов на один модуль памяти

Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.

X

48916183672

Напряжение, В

Напряжение, В

Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.

X

Отдо

Наличие радиатора

Наличие радиатора

Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).

X

естьнетне важно

CAS Latency (CL), тактов

CAS Latency (CL), тактов

CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться

CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее

Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).

X

Отдо

Упаковка чипов

Упаковка чипов

Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.

X

двусторонняя упаковкане указанаодносторонняя упаковка

tRCD, тактов

tRCD, тактов

tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.

X

Отдо

tRP, тактов

tRP, тактов

tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X

Отдо

tRAS, тактов

tRAS, тактов

tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.

X

Отдо

Количество ранков

Количество ранков

Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.

X

1248

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

На модулях DDR3, как правило, присутствует маркировка PC3, тогда как на низковольтной памяти ставится PC3L. Кроме того, в некоторых случаях указывается и напряжение питания, 1,5v для ддр3 и 1,35v для ддр3л соответственно.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы. Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия. Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа (типа CPU-Z) и зайти во вкладку SPD.

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

Преимущества и недостатки

Разница в технических характеристиках DDR4 не только явная: кое-что выясняется экспериментальным путем. Например, меньший рабочий вольтаж у этого типа памяти ведет к тому, что греется она меньше, поэтому теоретически прослужит дольше. Также уменьшение энергопотребления увеличивает время работы ноутбука от батареи.

Прочитав про правильный выбор оперативной памяти для вашего ПК, вы можете больше узнать о таймингах

Почему это важно знать для сравнения разных типов оперативки? Дело в том, что у каждого последующего поколения тайминги больше

И если брать для сравнения планки памяти DDR3 и DDR4 со всеми равными параметрами, то именно благодаря меньшим таймингам планка третьего поколения будет работать шустрее. Так-то!

Ага, ага, так-то оно так, однако есть одно но: планки оперативки DDR3 с параметрами как у «четверки» относятся к ТОПовым, поэтому и стоят соответственно. Не рекомендую останавливать свой выбор на таком варианте: во-первых, можно заполучить такую же планку, но ДДР4, за меньшую сумму, а во-вторых производители процессоров при разработке новых комплектующих ориентируются уже на DDR4. Собрать на этой базе компьютер не станет проблемой, в то время как поиск материнки на DDR3 и подходящих планок на материнскую плату может превратиться в увлекательный квест с обходом всех окрестных компьютерных магазинов с заведомо неизвестным результатом.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты. Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ. Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом. Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Возможности DDR3

Возможности микросхем DDR3 SDRAM

  • Предвыборка 8 слов на каждое обращение (Prefetch buffer)
  • Функция асинхронного сброса с отдельным контактом
  • Поддержка компенсации времени готовности на системном уровне
  • Зеркальное расположение контактов, удобное для сборки модулей
  • Выполнение CAS Write Latency за такт
  • Встроенная терминация данных
  • Встроенная калибровка ввода-вывода (мониторинг времени готовности и корректировка уровней)
  • Автоматическая калибровка шины данных

Возможности модулей DIMM DDR3

  • Последовательная топология управляющей шины (управление, команды, адреса) с внутримодульной терминацией
  • Высокоточные резисторы в цепях калибровки
  • Введен более компактный тип модулей VLP для использования в Blade-серверах

Существуют различные типы модулей: DIMM, UDIMM, RDIMM; SODIMM, mini RDIMM, MicroDIMM

Немного истории

DDR3 – третье поколение синхронной динамической памяти SDRAM с удвоенной скоростью. По сравнению с предшественниками напряжение питания снижено до 1,5 В. Существует (и до сих пор используется) модификация DDR3L, у которой рабочее напряжение еще меньше – 1,35 В, то есть на 10%.

Модуль DIMM имеет 240 контактов. Расположены они на плате симметрично, однако работают асинхронно. Ключ затвора расположен не там, где у остальных типов памяти, поэтому совместимость невозможна ни теоретически, ни практически – вы попросту не вставите такую планку в неподходящий слот.

Согласно спецификации, существует несколько модификаций DDR3, рабочие характеристики которых отличаются.

Таблица для наглядности:И да, если я завел речь про историю, то массовую популярность этот тип памяти начал обретать в 2012 году, хотя появился еще в 2007.

DDR4 – четвертое поколение. Объемы продаж превзошли предшественника только в 2017 году, хотя появились такие планки на несколько лет раньше. Типы отличаются между собой как внешне (физически новинка немного шире), так и по характеристикам.

Количество банков здесь удвоено и достигает 16, что позволило увеличить скорость внешней шины данных. Благодаря механизму проверки четности, повышена надежность модуля памяти. Рабочее напряжение снижено до 1,2 В.

Характеристики DDR4 показаны в таблице:Как видите, разница существенна: даже у самых слабых моделей выше и частота памяти, и частота шины, пиковая скорость передачи данных. Следует отметить, что лучше и почти все остальные характеристики. Почитать детальнее об основных характеристиках оперативки вы можете в этой статье.

Особых различий в параметрах между DIMM для десктопных компов и SO‐DIMM для ноутбуков у обеих типов оперативки нет – разница только в физических размерах и количестве коннектов на шине. Стоит отметить, что благодаря компактным габаритам обычно оперативка для ноута стоит дороже.

Почему появилась разница в модулях DDR3

А кто ее знает?! Типичный прогресс — популяризация ноутбуков заставила производителей создавать более энергоэффективные модули памяти, которые будут очень эффективны в портативных компьютерах где каждый лишний ватт энергии некуда деть и вызывает проблемы с перегревом…

Чем отличается DDR3 от DDR3L

Созрели прокачать свой компьютер или ноутбук? — Не проблема… полезли в интернет магазин и столкнулись с ситуацией когда на рынке есть DDR3 и еще непонятный DDR3L. Что это за новый стандарт и чем он отличается от обычной DDR3?

Отличие DDR3L от DDR3 в рабочем напряжении. DDR3L работает на пониженном напряжении 1.35v против 1.5v в классической DDR3.

Благодаря снижению напряжения модули памяти меньше нагреваются и потребляют меньше энергии, что благоприятно сказывается на времени автономной работы портативных компьютеров.

Если вы сомневаетесь в типе выбранной вами памяти (например на скриншоте сверху не совсем понятно DDR3L там или обычная), то смотрите на маркировку напряжения. Если 1.5v — обычная DDR3, а если 1.35v как на картинке выше — то DDR3L

Совместимость модулей DDR3 и DDR3L

Теперь самое важное — совместимы ли они между собой? Ситуация такая:

  • Модуль DDR3L будет работать в любом DDR3 слоте
  • Модуль DDR3 будет работать только в разъеме DDR3

…получается что новый стандарт DDR3L работает и в старых и новых платах (узнайте как определить модель системной платы), однако старые модули DDR3 не запустятся на относительно свежих материнских платах оборудованные DDR3L слотами.

Важно. Никто вам не даст 100% гарантии совместимости вашей системы с тем или иным модулем памяти

Даже если вы все сделали по уму и подобрали совместимые комплектующие присутствует небольшой риск несовместимости конкретной этой плашки (особенно актуально если вы добавляете к уже существующей оперативке, достаточно часто модули отлично работают раздельно и не стартуют если установить их в паре)

Совместимость типов памяти

Существует заблуждение, что из-за особенностей интерфейса планку памяти невозможно вставить в неподходящие слоты. Скажу так: достаточно сильный парень (и даже некоторые девчонки) вставит что угодно куда угодно – не только оперативную память, но и процессор Intel в слот для AMD. Правда, есть одно НО: работать такая сборка, увы, не будет.

Остальные юзеры, собирающие компы аккуратно, обычно оперативку вставить в неподходящий слот не могут. Даже если планки имеют одинаковые габариты, это не позволит сделать так называемый ключ. Внутри слота есть небольшой выступ, не дающий смонтировать несоответствующий тип ОЗУ. На подходящей же планке в этом месте есть небольшой вырез, поэтому вставить ее можно без проблем.

Особенности DDR3L

Конструкция планок DDR3L практически не отличается от DDR3. Они также оснащены 240 контактами и обладают такими же размерами, кроме высоты.

Также, данный вид оснащен системой пассивного охлаждения, что позволяет ее разгонять, увеличивает производительность, так как повышается потребление энергии. Модуль памяти не выйдет из строя раньше, чем положено, так как тепло будет рассеиваться и не произойдет перегрев.

Стоит отметить, что с 2012 года на рынке можно встретить модификации этой памяти, разработанные для смартфонов DDR3L-RS.

В маркировке памяти, L – это Low, то есть, низкое потребление энергии. В отличии от DDR3 данный вид памяти требует источник, напряжение которого 1,35 В. Это на 10-15% меньшем чем DDR3 и на 40% меньшем чем DDR2. Благодаря тому, что тепла выделяется меньше, то и пассивное охлаждение не нужно, а это сокращает тайминги и делает работу стабильнее и производительнее. Все остальные характеристики ничем не отличаются от DDR3.

DDR3L нельзя заменить на DDR3 т.к. установка в слот для первого типа приведет к несовместимости и запуск не произойдет. Но в обратном порядке возможна замена, однако плата может нагреваться, так как DDR3 требует больше энергии.

Что собой представляют DDR2 и DDR3?

Появление DDR2, вызвало огромный фурор не только у представителей крупных ИТ-компаний, но также и у пользователей, которые просто не захотели отказываться от стандартной разновидности DDR. Если сравнивать вторую версию оперативной памяти со стандартной, то следовало бы отметить то, что DDR 2, способно передавать данные по обоим срезам. Кроме этого, их разница сводится к тому, что DDR 2, имеет возможность похвастаться наличием намного более быстрой шиной. Кстати говоря, процедура передачи данных на них, может совершаться одновременно, причем сразу-же из четырех мест. Ввиду вышесказанного, мы и можем уверенно говорить о том, что скорость передачи данных DDR 2, будет в несколько раз превосходить ту, которая имеет место быть в случае с предыдущим поколением.
Кроме этого, такую оперативную память характеризуют относительно небольшим энергопотреблением и достаточно быстрым охлаждением. DDR 2 казался максимально эффективным, вплоть к тому времени, пока не стало известно об существование DDR3.

В случае с такой оперативной памятью, имеет место быть снижение напряжения питания ячеек. Создателям DDR 3, каким-то невероятным образом удалось снизить энергопотребление на целых 15 процентов. Помимо стандартных разновидностей DDR 3, на современном рынке предусмотрены и слегка модифицированные их версии. Их помечают буквой «L», которая означает, что эта модель оперативной памяти, имеет возможность похвастаться наличием еще большего показателя энергосбережения. Пропускная способность у DDR 3, значительно превышает те показатели, которые предусмотрены в случае с какими либо-предыдущими моделями оперативной памяти. Впрочем, уже сейчас DDR 3 — не может больше называться максимально эффективной разновидностью оперативной памяти, поскольку относительно недавно, о себе заявила DDR 4, которая согласно официальному заявлению компании-производителя, должна превзойти все предыдущие поколения.

Примечания

  1. Дмитрий Беседин. . IXBT (15 мая 2007). Дата обращения: 15 декабря 2013.
  2.  (англ.). PCWorld (31 January 2010). Дата обращения: 30 сентября 2020.
  3.  (недоступная ссылка). hard.compulenta.ru. Дата обращения: 30 сентября 2020.
  4. . Дата обращения: 6 июня 2016.
  5. . Дата обращения: 18 февраля 2018.
  6. . Дата обращения: 18 февраля 2018.
  7. . Дата обращения: 18 февраля 2018.
  8. Дмитрий Беседин. . IXBT (15 мая 2007). Дата обращения: 15 декабря 2013. «используемые 200-МГц микросхемы должны передавать по 8 бит данных за каждый «свой» такт. То есть ширина внутренней шины данных микросхем памяти окажется уже в 8 раз больше по сравнению с шириной их внешней шины. Очевидно, такая схема передачи данных с рассмотренным преобразованием типа «8-1» будет называться схемой «8n-предвыборки» (8n-prefetch). »

DRR3L и DDR3 взаимозаменяемость

Если ваш компьютер 2016 года выпуска или позднее, если вы установить планку оперативной памяти DDR3, то есть вероятность что она не подойдет. Вставить в слот вы ее вставите, но работать система с такой оперативной памятью откажется. Это из-за того что на новых материнских платах на DIMM слот, куда вставляете оперативную память, подается 1.35v, а для DDR3 нужно 1.5V. Поэтому для таких материнок нужна оперативная память DDR3L.

Это больше всего касается ноутбуков и нетбуков, где каждый вольт на счету.

Самым же правильно вариантом при подборе оперативной памяти, это узнать модель вашей материнской платы, зная модель материнки, на официальном сайте производителя, можно узнать какие типы оперативной памяти она поддерживает и уже от этих данных отталкиваться при покупке новой планки.

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

Главная характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Критерии выбора

Скорость действия памяти определяется частотой и таймингами. С ее увеличением повышается производительность мощных профессиональных или игровых ПК.
Конструктивно устройство представлено 2-мя отдельными модулями, поставляемыми в отдельных пластиковых пакетах, защищающих от пробоя статического электричества. DDR3 имеет функции транзисторов с двойным затвором Dual-gate, что снижает токи утечки. Минимальный размер запоминающего устройства DDR3 — 1 Гб, максимальный — 16 ГБ.

Чем отличаются типы оперативной памяти DDR3 и DDR3L?

Указанный номер кода указывает количество тактовых циклов, которые требуются с момента отправки на преобразование команды. Что такое память. В принципе, память компьютера состоит из не менее двух компонентов, жесткого диска и основной памяти. Пока диски представляют собой постоянные носители, память ведет себя наоборот, она неустойчива. Основная память может хранить данные только при наличии рабочего напряжения. Если рабочее напряжение исчезает, оно «забывает» всю сохраненную на нем информацию, оно пустое.

Частота памяти. Она определяет скорость ее действия

Но перед приобретением модуля важно предусмотреть поддержание процессором (1333 и 2133 МГц) материнской платой заданных параметров: от 2000 МГц до 3000 МГц. Узнать частоту памяти того или иного процессора можно на сайте производителя

Преимущество ОЗУ не связано ни с его конструкторской структурой, ни с его способностью, оно заключается в его рабочей скорости. Поэтому память — очень быстрая память. Эта скорость также необходима, поскольку память должна обрабатывать обращения всех компонентов компьютера.

Как вычислить теоретическую скорость нашей основной памяти? Для теоретической рабочей скорости вашей памяти. Это изменилось с развитием технологий. Это соединение называется шиной или при работе с модулем памяти шина данных имеет ширину 64 бит, доступно 64 линии данных.

Тайминги. Типовая латентность для модуля DDR3 1333 МГц – CL 9, для высокочастотной памяти DDR3 – CL 11. Обычно низкие тайминги стоят дороже, что говорит об высоком уровне техпараметров. Чем меньше задержки между чтением/записью/копированием данных, тем лучше.

Шина данных представляет собой второй компонент в нашей формуле для расчета теоретической скорости основной памяти. Системы с двумя каналами имеют архитектурно структурированную структуру, в дополнение к первой шине данных, вторую идентичную шину данных, которая может работать параллельно. Хотя модуль памяти в двухканальной системе может быть подключен через шину данных, два модуля памяти могут быть подключены через две параллельные шины данных. В нашей формуле это выглядит так.

Пропускная способность памяти удваивается. Системы с четырьмя каналами способны сделать еще один шаг вперед, потому что у нас есть четыре параллельных шины данных. Наше шоссе похоже на вышеупомянутую модель 1-полосной на 4-полосной расширенной, так что четыре машины могут двигаться бок о бок. Автобус может одновременно перевозить в четыре раза больше автомобилей.

Важно знать! Для стабильной работы ноутбука рекомендуется установка одинаковых модулей оперативной памяти

Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Андрей Измаилов
Наш эксперт
Написано статей
116
Добавить комментарий