Как разогнать память на ryzen

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.

Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

И какое это значение имеет для моего компьютера?

Представьте себе, вы после давненько совершённой покупки ноутбука решили добавить ещё одну планку оперативной памяти к уже имеющейся. Среди всего прочего, ориентируясь по наклеенному лейблу или на основании программ-бенчмарков можно установить, что по характеристикам таймингов модуль попадает под категорию CL-9 (9-9-9-24):

То есть данный модуль доставит до ЦПУ информацию с задержкой 9 условных циклов: не самый быстрый, но и не самый плохой вариант. Таким образом, нет смысла зацикливаться на приобретении планки с более низкими показателями задержки (и, теоретически, более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых количество циклов равно соответственно 4, 5 и 7.

первый модуль опережает второй почти на треть цикла

Как вы знаете по статье “Как выбрать оперативную память?“, параметры таймингов включают ещё одни важные значения:

  • CL – CAS Latency – время, затрачиваемое на цикл “модуль получил команду – модуль начал отвечать“. Именно этот условный период уходит на ответ процессору от модуля/модулей
  • tRCD – задержка RAS к CAS – время, затрачиваемое на активацию строчки (RAS) и столбца (CAS) – именно там данные в матрице и сохраняются (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
  • tRP – заполнение (Зарядка) RAS – время, затрачиваемое на прекращение доступа к одной строчке данных и начало доступа к следующей
  • tRAS – означает как долго придётся самой памяти ждать очередного доступа к самой себе
  • CMD – Command Rate – время, затрачиваемое на цикл “чип активирован – первая команда получена (или чип готов к приёму команды)”. Иногда этот параметр опускается: он всегда составляет один или два цикла (1Т или 2Т).

“Участие” некоторых из этих параметров в принципе подсчёта скорости работы оперативной памяти, можно также выразить в следующих рисунках:

Кроме того, время задержки до момента, когда планка начнёт отсылать данные, можно подсчитать самому. Здесь работает простая формула:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из рисунка с CPUD можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 665-666 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 1333 МГц) будет выдавать примерно:

1 / 666 000 000 = 1,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-9 модуль будет выдавать “тормоза” периодом 1,5 х 9 = 13,5 нсек, при CL-7 : 1,5 х 7 = 10,5 нсек.

Что можно добавить к рисункам? Из них видно, что чем ниже цикл зарядки RAS, тем быстрее будет работать и сам модуль. Таким образом, общее время с момента подачи команды на “зарядку” ячеек модуля и фактическое получение модулем памяти данных, высчитывается по простой формуле (все эти показатели утилиты типа CPU-Z должны выдавать):

tRP + tRCD + CL

Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Соковыжималка

Популярная утилита CPU-Z отображает реальную частоту памяти, а не эффективную, и многих новичков это вгоняет в ступор.

С тем, как работает оперативная память, мы разобрались.
Теперь осталось понять, как добиться от нее большей производительности, — и вот
с этим дело не просто. Существует два разных способа разгона памяти. Первый
подразумевает повышение частоты модулей, второй — понижение таймингов. Другими словами:
можно либо увеличивать количество тактов в секунду, либо делать сами такты
более продуктивными. В идеале, конечно, следует использовать оба метода
одновременно, но улучшение одного параметра всегда ведет к ухудшению другого, и
подобрать оптимальный баланс нелегко. Нельзя сказать заранее, что окажется
полезнее вашей системе — высокочастотная память с ослабленными таймингами или
модули, функционирующие на более низкой частоте, но обладающие минимальными
задержками.

Если вы готовы драться за каждый лишний балл в каком-нибудь
PCMark, то мы рекомендуем перепробовать несколько различных соотношений частоты
и таймингов и выбрать тот, что дает наилучший результат конкретно для вашей
системы. В противном случае будет разумнее сначала увеличить тайминги, потом
найти частотный потолок для используемых модулей памяти, а затем попытаться
вновь снизить задержки — как показывает практика, такой подход чаще оказывается
выигрышным. При этом на протяжении всего пути не стоит сильно отклоняться от
базового соотношения таймингов: первые три задержки должны быть примерно
одинаковыми, а для четвертой желательно выставлять значение равное сумме этих
таймингов или чуть ниже.

При разгоне памяти приходится регулярно прибегать к помощи бенчмарков, которые помогают оценить стабильность работы.

При разгоне памяти нельзя обойтись без помощи тестов,
измеряющих производительность системы, — именно они позволят оценить, насколько
велик прирост быстродействия вследствие ваших манипуляций и есть ли он вообще. Может
показаться парадоксальным, но порою понижение таймингов или увеличение частоты
оперативки может негативно сказаться на скорости работы компьютера — случаются
такие сюрпризы нечасто, но отмахиваться от них не стоит. В общем, без
бенчмарков никуда. Какое ПО лучше всего использовать? Мы советуем джентльменский
набор из PCMark, Everest и WinRAR (встроенный тест), но
вообще список диагностических утилит для памяти обширен — выбирайте то, что
больше по душе. Кстати говоря, бенчмарки полезны еще и потому, что позволяют
проверить память на стабильность работы. А после того, как разгон будет
считаться завершенным, не помешает дополнительно помучить компьютер
стресс-тестами вроде OCCT и S&M, дабы окончательно убедиться
в стабильности системы.

Проводя эксперименты, не стоит забывать о повышении
напряжения, причем речь идет не только о самих модулях, но и о контроллере
памяти — нередко именно он мешает раскрыть весь потенциал разгоняемых плашек.
Ранее на платформах Intel этот важный элемент системы располагался в северном
мосту чипсета, однако с недавних пор он окончательно переселился в центральные
процессоры, поэтому на современных платформах увеличение напряжения на
контроллере негативно сказывается на температуре ЦП. Таким образом, иногда для
эффективного разгона памяти приходится дополнительно усиливать охлаждение
процессора, а не самих модулей. Предостережем: не повышайте напряжение на
контроллере более чем на четверть, это может привести к печальным последствиям.

Наконец, стоит заранее определиться, каким образом будет
осуществляться разгон. Можно либо воспользоваться специальной утилитой, либо
изменять необходимые параметры непосредственно в BIOS. Мы настоятельно
рекомендуем взять на вооружение второй вариант, поскольку ни одна программа не
в состоянии раскрыть все возможности, предоставляемые системной платой. Соответственно,
перед проведением опытов не помешает внимательно изучить инструкцию к материнке
— это позволит понять, что именно скрывается под тем или иным пунктом в BIOS.
Так уж сложилось, что каждый производитель стремится ввести в обиход свои
собственные обозначения, и даже такие, казалось бы, общепринятые термины, как
названия таймингов, могут варьироваться от платы к плате.

И еще: не стоит сразу впадать в панику, если на определенном
этапе разгона система вдруг напрочь откажется стартовать. Как правило, это означает
лишь, что материнская плата не может автоматически сбросить неприемлемые для
нее настройки BIOS. Встречается данная болезнь не так часто и лечится она
банальным выниманием батарейки из платы. А вот если это не поможет — тогда уже
можно и паниковать.

Для чего используют разгон ОЗУ

Прежде чем приступать к разгону, стоит подумать, действительно ли это необходимо. В основном, этот тип деятельности проводится только для гейминга. Погоня за высокой частотой кадров заставляет не только покупать новое оборудование, но и настраивать текущее, чтобы получить максимальную производительность.

Однако разница будет видна только в некоторых случаях. Это, в основном, относится к интегрированным видеокартам, где оперативная память потребляется видеокартой, которой оснащены процессоры Ryzen. В этом случае ресурс ОЗУ влияет на эффективную работу всего чипа. Конечно, многое зависит и от самих игр. Некоторые из них, в основном, загружают видеокарту, другие, напротив, в большей степени используют вычислительную мощность процессора и оперативную память.

Принимая решение о разгоне, сначала стоит ознакомиться со всеми важнейшими параметрами RAM. Это позволит понять ее специфику, а также лучше подготовиться к самому разгону.

Что понадобится для разгона

Как и в случае с разгоном процессора, цель – увеличить тактовую частоту. Лучшие параметры обеспечат более высокую производительность, а также большую нагрузку. Поэтому ключевым условием является выбор правильного оборудования, которое позволит провести весь процесс безопасным и стабильным способом. Итак, что же нужно?

  1. Материнская плата – должна быть хорошего качества, а также обеспечивать достаточный источник питания и поддержку более высоких рабочих частот ОЗУ (стоит проверить это в спецификации платы).
  2. Кулеры в корпусе – будут отводить избыточное тепло.
  3. Обновленный BIOS и UEFI – возможно, производитель материнской платы предоставил новые функции или оптимизировал предыдущие, что упростит процесс разгона.
  4. Программа Memtest – проверка стабильности оперативной памяти после разгона. Конечно, можно использовать и другой диагностический софт.

Основные термины

Прежде чем приступить к разгону, стоит ознакомиться с используемыми терминами:

  1. Тактовая частота – это скорость чтения и записи данных контроллером. Это влияет на скорость выполнения вычислений процессором.
  2. CL (CAS Latency) – указывает время, необходимое для считывания данных контроллером памяти с момента отправки запроса. Чем ниже значение, тем лучше.
  3. RCD (RAS-CAS Delay) – это время, которое проходит с момента завершения выполнения команды CAS, до начала выполнения следующей RAS.
  4. RAS (Row Addres Strobe) – указывает время, необходимое для активации банка памяти до загрузки строки. Этот параметр имеет мало значения для производительности.
  5. RP (Ras Precharge) – время, необходимое для закрытия банка памяти.
  6. Вольтаж – память, предназначенная для разгона, потребляет больше электроэнергии. Питание имеет решающее значение для разгона.

Важно помнить, что CL и тактовая частота должны быть в равновесии – не стоит использовать высоко тактовую память с большими задержками, ведь ее потенциал не будет раскрыт

Настройки BIOS

Для того чтобы разогнать тактовую частоту каких-либо комплектующих компьютера, пользователям нужно зайти в меню конфигураций БИОС. Для этого выполните несколько простых действий, описанных в данной инструкции:

  1. Перезапустите ваш ПК или включите его, если он выключен.
  2. Сразу после звукового сигнала БИОС, оповещающего о том, что все детали найдены и работают корректно, необходимо нажать на специальную горячую клавишу вызова меню настроек. Чтобы узнать, какая кнопка подходит вам, нужно посмотреть модель своей материнской платы. Наиболее часто встречающиеся хоткеи: F10, F12, F11, F8, Delete, Escape.
  3. Теперь вам потребуется отыскать опцию, которая называется «DRAM Configuration». Ее расположение зависит от версии BIOS. Обычно она находится в разделе «Advanced Chipset Features».
  4. Здесь пользователи могут задать значения таймингов и частоты оперативной памяти. Необходимо знать, что чем их значения меньше – тем быстрее будет работа компьютера. Измените их показатели на несколько единиц в меньшую сторону.
  5. Теперь откройте меню «Memory Frequency» и установите частоту немного выше текущей. 
  6. Сохраните изменения и начните рестарт компьютера.

Разгон оперативной памяти через БИОС

Разгон оперативной памяти DDR3 примерно такой же как у DDR4. Поиск настроек, тестирование и общий процесс будет проходить одинаково. Однако стоит подробнее разобраться с каждым из возможных вариантов для того, чтобы исключить серьезные ошибки. К тому же, есть два алгоритма разгона, которые отличаются.

Разгон ОЗУ в БИОС Award

Для начала стоит сказать, что мы советуем записать все изначальные настройки системы перед тем, как вы будете что-то менять, а также записывать результаты с определенными параметрами настроек. Так вам будет легче потом вернуть все в обычное состояние, а также не будет проблем, если вы захотите вернуться к одним из настроек, которые пробовали раньше. Записывать лучше на листке, который будет всегда под рукой.

Вам может быть интересна наша статья: Что делать, если не загружается БИОС: проблемы и решение.

Чтобы понять, как разогнать оперативную памяти в БИОСе Award, нажмите на своей клавиатуре одновременно Ctrl + F1, на экране должно появиться большое меню настроек. В настройках ищите “MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)”.

Вы должны увидеть такие настройки ОЗУ как System Memory Multiplier. Для того, чтобы начать работу по увеличению скорости ОЗУ и ее эффективности, вам необходимо менять частоту этого показателя. Так будет идти вниз или вверх показатель тактовой частоты ОЗУ

Важно помнить о том, что если вы хотите увеличить скорость работы ОЗУ, которая стоит на старом процессоре, то множитель для процессора и для памяти будет совпадать. Так что при попытках увеличить эффективность работы своей оперативной памяти, вы автоматически будете одновременно разгонять еще и процессор

Для многих окажется неприятной неожиданностью, но от этого «бага» вы никак не сможете избавиться. А чтобы увеличить эффективность ОЗУ в данном случае понадобится покупать дополнительную аппаратуру, но это особенность старой техники.

В этом же окне настроек вы можете увеличить напряжение, которое подается на оперативную память. Но будьте внимательны, это может делать только человек, который хорошо разбирается в технике потому что такие действия могут привести к непредвиденным последствиям и даже вызвать возгорание. Если вы не сильны в электрике — не трогайте. Также не нужно сильно поднимать напряжение за один раз — на одну десятую Вольта будет достаточно. И если вы все-таки захотели это сделать, проверьте все параметры собственной безопасности и убедитесь в правильных расчетах.

После собственноручной установки необходимой, по вашему мнению, частоты и после того, как вы поменяли напряжение (если знаете, умеете и решились на это), вам нужно выйти стрелкой назад к пункту с основным меню. В основном меню стоит найти “Advanced Chipset Features”. В этом пункте можно выбрать нужные вам тайминги задержки. Но запомните одну деталь: для настройки параметров задержки нужно заранее изменить положение пункта DRAM Timing Selectable из Auto на Manual. По сути, вы выведите его на возможность настраивать вручную.

Как рассчитать необходимую зависимость частот от тайминга, будет рассказано в разделе ниже.

Разгон ОЗУ в БИОСе UEFI

Биос UEFI — самый молодой БИОС из тех, которые устанавливаются на современные компьютеры, поэтому он выглядит очень похожим на операционную систему. Именно поэтому для обычного пользователя намного удобнее настраивать ОЗУ и другие параметры через этот БИОС. В отличие от более старых версий системы, у него есть графика, а также возможность поддержки разных языков, среди которых есть русский.

Прежде, чем начать настройку, следует открыть вкладку “M.I.T.” и выбрать в этой вкладке пункт “Расширенные настройки частот”. В этой версии БИОСа есть русский интерфейс, перепутать будет сложно.

После этого, как и в предыдущем пункте, необходимо начать регулировать настройки памяти. После — перейти в пункт “Расширенные настройки памяти и начать изменять параметры тайминга и напряжения (если вы имеете достаточно опыта и знаний для того, чтобы проводить подобне изменения настроек).

Intel Sandy Bridge

Повышая рабочее напряжение, можно увеличить разгонный потенциал модулей, но бездумно задирать этот параметр не стоит — память может и перегореть.

Новейшие процессоры Intel, представленные
двухтысячной линейкой Core i3/i5/i7, придутся по душе
оверклокерам-новичкам. Матерые адепты разгона считают, что с приходом Sandy
Bridge разгонять систему стало слишком скучно. Все дело в том, что в этих
процессорах опорная частота (у Intel она зовется BCLK), от которой пляшут все
основные исполнительные блоки, практически не поддается изменению — стоит
отклонить ее на какие-то 6-7 МГц, и система начинает вести себя неадекватно.
Соответственно, старые добрые приемы в случае с Sandy Bridge не работают, поэтому
единственный способ разогнать оперативку (как, впрочем, и процессор) — увеличивать
соответствующий множитель. Благо контроллер памяти, встроенный в новые
процессоры, вышел довольно шустрым, и частота в 2133 МГц ему покоряется без
проблем. Поскольку трогать BCLK настоятельно не рекомендуется, итоговая опорная
частота памяти в любом случае должна быть кратна 266 МГц, то есть не любой
набор DDR3 удастся завести именно на той частоте, что заявлена его
производителем. Скажем, модули DDR3-2000, встретившись с новыми процессорами
Intel, будут работать как DDR3-1866.

Заметим, что одного лишь процессора Sandy Bridge для
эффективного разгона ОЗУ недостаточно — нужна еще и подходящая материнская
плата. Все дело в том, что Intel искусственно ограничила оверклокерские
возможности не только процессоров (множитель можно увеличить лишь у моделей с
индексом «К»), но и чипсетов. Так, младшие наборы логики память разгонять не
умеют, поэтому в системных платах на их основе даже самые скоростные модули
будут работать как DDR3-1333. А вот чипсет Intel P67 Express,
позиционирующийся как решение для энтузиастов, поддерживает режимы вплоть до
DDR3-2133, поэтому к выбору материнской платы под Sandy Bridge стоит подходить
со всей основательностью.

К бою готов

Чем лучше у вашей памяти радиаторы, тем
выше у нее разгонный потенциал.

Как определить, подходят ваши конкретные модули для разгона
или нет? Если плашки изначально не относятся к оверклокерскому классу (то есть
их частота не превышает рекомендованных создателями процессоров значений), то
отталкиваться стоит прежде всего от их производителя, рабочего напряжения и
системы охлаждения.

Про производителя, думаем, объяснять не стоит: именитые
компании используют проверенные чипы, возможности которых, как правило, не до
конца исчерпаны, а вот от китайского нонейма ожидать выдающегося разгонного
потенциала не стоит. Рабочее напряжение также позволяет определить, насколько
микросхемы близки к пределу своих возможностей: чем меньше вольт подается на
чипы по умолчанию, тем сильнее можно будет увеличить напряжение самостоятельно
и тем выше будет частотный потенциал. Ну а качественные радиаторы позволяют
эффективнее отводить тепло от чипов, что позволяет выжать из плашек чуть больше
производительности.

От чего зависит разгон?

Самые главные характеристики ОЗУ — это частота и тайминги. Тайминги отображают, какой промежуток времени необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти. Если говорить простым языком, то чем они ниже, тем лучше

Однако именно частота, всё же, является самой важной характеристикой и в большей степени влияет на производительность памяти

Вольтаж

Как и при разгоне процессора, память, работающая на высокой частоте, потребует и увеличенного напряжения, подаваемого на чипы. Для ОЗУ с типом DDR2, 1,8 В — нормальное напряжение. Для DDR3 — уже 1,5 В. А для современной DDR4 — 1,2 В. Соответственно, для каждого типа существует определенный уровень напряжения, через который не рекомендуется переступать, чтобы память работа стабильно и не вышла из строя. Для DDR2 значение 2,2 В считается пиковым. Для DDR3 — 1,7 В. Для DDR4 — 1,4 В.

Ранг памяти

Узнать, сколько рангов имеет ваша память — очень просто. Для этого нужно воспользоваться любой утилитой, которая мониторит технические характеристики ваших комплектующих. Например, с этой задачей хорошо справляет программа CPU-Z. На вкладке SPD, в графе Ranks, вы найдете то, что вам нужно.

Еще можно взглянуть на маркировку на самой планке. Однако, производитель не всегда наносит на маркировку подобные данные. Одноранговые модули помечаются буквой S. Двухранговые — буквой D. Пример:

  • KVR21N15S8/8 — одноранговая.
  • KVR21N15D8/8 — двухранговая.

Производитель чипов

Существует несколько компаний, занимающихся производством чипов памяти. Самые распространенные — Samsung, Hynix, Micron. Лучше всех в разгоне показывают себя чипы от компании Samsung из-за того, что способны взять самую высокую частоту среди конкурентов. Впрочем чипы от оставшихся производителей — тоже неплохие. Другое дело — компании, которые в производстве чипов не так сильно преуспели. Например, фирменные чипы от AMD или от SpecTek не позволят вам покорить высокую частоту. Посмотреть производителя чипов тоже можно с помощью программ для мониторинга. Например, AIDA64 это умеет.

В главном окне выберете категорию Системная плата, затем «SPD» и в графе «Производитель DRAM» найдете компанию-разработчика.

Что нужно знать перед началом работы

Сразу стоит оговориться, что в теории при “экспериментах” с оперативной памятью по мере того, как происходит разгон, пользователь не сможет ей навредить. При невозможных или неправильных настройках компьютер может не включиться. Поэтому для того, чтобы исправить ситуацию, нужно будет вернуть настройки на те, которые стояли раньше. Некоторые компьютеры в состоянии сделать это сами при перезагрузке.

Но стоит помнить о важном моменте: повышение эффективности работы устройства искусственным путем делает его менее стойким к износу, так что с каждым разгоном вы отбираете у своей ОЗУ несколько месяцев “жизни”. Проще говоря, вы переносите ресурс на производительность и на долговечность уже ничего не остается

Кроме того, важно понимать, что во время того, как пользователь старается разогнать ОЗУ для того, чтобы она более производительно работала, он не просто увеличивает тактовую частоту. Для того, чтобы сделать все качественно и разгон действительно получился, необходимо будет провести много экспериментов с настройками всех параметров памяти и дополнительной отдельной подстройкой их друг под друга

Тут нужно проявить внимательность помнить, какие настройки были изначально, чтобы все вернуть в случае неудачи.изначальных настройках.

Например, если пользователь увеличивает тактовую частоту, то логично, что придется увеличить тайминги. Но ОЗУ работает производительнее, если эти тайминги наоборот снижены. По этой причине когда вы самостоятельно стараетесь увеличить скорость работы оперативной памяти, нужно постараться и выделить много времени для того, чтобы путем эксперимента подобрать для вашего компьютера такие настройки, чтобы скорость увеличилась оптимально.

При разгоне оперативной памяти стоит заранее погуглить все настройки. Если у вас не какая-то особая модель памяти, которая выпускается в ограниченном количестве, то кто-то до вас уже пробовал увеличить скорость ее работы самостоятельно с помощью изменения настроек и написал о своем опыте на форуме или даже в отдельной статье. Поэтому погуглите модель и настройки для разгона. Как показывает опыт, очень часто их удается найти.

Но стоит учитывать, что даже если вы нашли на специальном форуме или в статье настройки для вашей ОЗУ, это не значит, что человек написал все правильно и без ошибок, а также не значит, что настройки идеально подойдут вам, так что если с первого раза не получилось — стоит пробовать вводить еще и немного изменять настройки

Также важно помнить, что многие параметры настроек зависят от того, какой тип оперативной памяти, процессор и какая материнская плата

Если вы решили найти готовые настройки, то вам нужно знать дополнительные параметры своего компьютера и с ними искать на форумах или сайтах со статьями на конкретную тему. Нужно искать настройки, которые будут максимально соответствовать вашей ситуации.

Шаг 5.

Когда вы нашли максимальную частоту и напряжение для вашего модуля и вас все устраивает, то вам нужно провести более долгий тест на стабильность. Эти тесты можно проводить не один раз или в играх.

Если в ходе более долгих тестов у вас будут возникать какие-то проблемы, то можно немного поднять тайминги, понизить частоту или немного поднять напряжение.

В случае, когда память стабильна, то можно:

– оставить все как есть

– еще раз «поиграть» с таймингами, но уже в обратную сторону, то есть на уменьшение. Это уже имеет название «вылизывание» таймингом. Процесс необязательный, нудный, но порой дающий довольно неплохие плоды.

– «поиграть» можно также и с напряжением, уменьшая его на 0.01 или 0.1 V. Таким образом, вы снижете напряжение до того минимума, когда работа оперативной памяти будет стабильна и быстра.

Выводы

Первое, что хочется отметить в выводах — разгон памяти ОЗУ — это очень непростое дело, которое требует не просто начитанности и понимания в этом вопросе, но и понимания основных правил работы с настройками процессора и материнской платы, основные правила работы электрикой и с техникой. Кроме того, чтобы правильно сделать разгон памяти, понадобится достаточно времени для экспериментов и тестирования, а также очень много терпения, чтобы не бросить свою затею на половине пути и довести дело до логического конца.

  • Так что если твердо решили разгонять память — стоит выделить на это целый день, в который вам не нужен будет срочно персональный компьютер и в который вы сможете сделать все не спеша и в комфортной обстановке, чтобы посчитать настройки и правильно их ввести.
  • Также, если вам хочется увеличить скорость ОЗУ, можете обратиться в специальный центр, где специалисты будут не только подстраивать основные параметры, о которых говорится в этой статье но и смогут увеличить подачу напряжения, так как они не раз сталкивались с такой просьбой от клиентов.
  • Кроме того, вы всегда можете просто рассмотреть вариант того, чтобы не просто искусственно разгонять ОЗУ и снижать время работы памяти, а просто увеличить ее количество у себя на персональном компьютере. Это даст вам верный результат, предотвратит раннее изнашивание деталей и существенно расширит ваши возможности.
Оцените статью
Рейтинг автора
5
Материал подготовил
Андрей Измаилов
Наш эксперт
Написано статей
116
Добавить комментарий